国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“深沟槽隔离结构及其制作方法”的专利，公开号CN121335519A，申请日期为2025年9月。

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专利摘要显示，本发明提供一种深沟槽隔离结构及其制作方法，包括衬底及由深入衬底的隔离沟槽隔离形成的条形结构，条形结构包括柱体及柱体两侧交错设置的凸起。本发明改变原有硅柱的结构设计，在硅柱的两侧间隔设置凸起，凸起相当于增加了DTI硅柱的宽度，避免硅柱倒掉或侧倾；进一步的，本发明通过控制单侧凸起高度与隔离热氧化层厚度的关系，确保热氧化过程中凸起部分充分氧化，在避免硅柱倒掉或侧倾时，不影响后续填充材料填充隔离沟槽。另外，本发明提供的深沟槽隔离结构，开云不改变原有设计的space尺寸，不增加DTI硅柱的尺寸，有利于减小隔离结构总尺寸。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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来源：市场资讯

发布于：北京市

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